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IRF640S中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF640S
廠商型號(hào)

IRF640S
功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
文件大小

84.23 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-15 19:41:00
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IRF640S規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY?process. This technology matches and improves the performances compared with

standard parts from various sources.

■ TYPICAL RDS(on)= 0.150?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT SWITCHING

■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF640S

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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