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IRF7459

Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A)

Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessor

IRF

International Rectifier

IRF7459PBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessor

IRF

International Rectifier

IRF7459TRPBF

SOP8 N 20V 6MR

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

PDF上傳者：深圳市百域芯科技有限公司

CM7459

T-13/4Bi-PinBase(.125)

T-13/4Bi-PinBase(.125)

CML

Chicago Miniature Lamp,inc

R7459

PHOTOMULTlPLlERTUBE

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學株式會社

SI7459DP

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES TrenchFETPowerMOSFETS NewLowThermalResistancePowerPAK?PackagewithLow1.07-mmProfile

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF7459

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRF7459供應商 更新時間2025-5-28 10:19:00

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