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IRF7752中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7752
廠商型號

IRF7752

功能描述

Power MOSFET(Vdss=30V)

文件大小

117.1 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-23 23:01:00

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IRF7752規(guī)格書詳情

Description

HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design , that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.

● Ultra Low On-Resistance

● Dual N-Channel MOSFET

● Very Small SOIC Package

● Low Profile (< 1.1mm)

● Available in Tape & Reel

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7752

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票
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