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IRF840LCSTRR

Power MOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF840LCSTRRPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF840LCSTRRPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF840PBF

HEXFETPOWERMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF840PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF840PBF

8.8A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

IRF840S

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It

IRF

International Rectifier

IRF840S

PowerMOSFET

TEL

TRANSYS Electronics Limited

IRF840S

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF840S

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF840LCSTRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INTERNATIONA
06+
原廠原裝
9016
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
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3050
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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24+
TO-263
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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VISHAY
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TO-263
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
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Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IRF840LCSTRR
21442
21442
詢價(jià)
Vishay Siliconix
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原裝正品，支持實(shí)單
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IR
01+
TO-263
1600
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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Vishay Siliconix
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多IRF840LCSTRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-21 14:45:00

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