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IRF9530S

iscP-ChannelMosfetTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF9530SMD

P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS

SEME-LAB

Seme LAB

IRF9530SPBF

HEXFET?PowerMOSFET

FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeAndReel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?P-Channel ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRF9530SPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9530STRLPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9530STRLPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9530STRRPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9530G

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI9530G

PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=-7.7A)

IRF

International Rectifier

IRFI9530G

PowerMOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF9530NSTRR

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF9530NSTRR供應商 更新時間2025-5-16 16:30:00

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