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IRF9Z32	文件：427.3 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETS -50Volts,0.14Ohm,HEXFETTo-220ABPlasticPackage TheHEXFET?technologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpwoerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z32	文件：371.39 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF9Z32	文件：280.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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