IRFDC20中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFDC20 |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
| 文件大小 |
464.77 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-29 18:02:00 |
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IRFDC20規(guī)格書詳情
VDSS = 600V
RDS(on) = 4.4?
ID = 0.32A
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low onresistance and cost-effectiveness. The 4-pin DIP package is a low-cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 watt.
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● For Automatic Insertion
● End Stackable
● Fast Switching
● Ease of paralleling
● Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFDC20
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SMD |
50 |
“芯達(dá)集團(tuán)”專營軍工百分之百原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
7500 |
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詢價(jià) | ||
IR |
QQ咨詢 |
LCC |
63 |
全新原裝 研究所指定供貨商 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
LCC |
66800 |
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詢價(jià) | ||
VishayIR |
24+ |
4-DIP |
1600 |
詢價(jià) | |||
VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP4 |
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詢價(jià) | ||
VishayPCS |
新 |
878 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
IR |
專業(yè)軍工 |
NA |
1000 |
只做原裝正品軍工級部分訂貨 |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONA |
05+ |
原廠原裝 |
4241 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) |
