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IRFB31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20DPBF	文件：1.29966 Mbytes Page：6 Pages	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features ?40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical154nC) ?LowCrss(typical101pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
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IRFS31N20D	文件：188.98 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20DPBF	文件：1.6825 Mbytes Page：6 Pages	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features ?40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical154nC) ?LowCrss(typical101pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
IRFS31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS31N20DTRLP	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL31N20D	文件：300.29 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

詳細參數(shù)

型號：
IRFSL31N20DTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科雨電子有限公司	IRFSL31N20DTRL	VISHAY	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFSL31N20DTRL	Vishay Siliconix	23+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原裝正品，支持實單	詢價
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更多IRFSL31N20DTRL供應商更新時間2021-9-14 10:50:00

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