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IRGIB10B60KD1P	文件：452.82 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C ?Lead-Free Benefits	IRF International Rectifier	IRF
IRGIB10B60KD1P	文件：453.78 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGIB10B60KD1P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 16A 44W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRGIB10B60KD1PBF	文件：444.23 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C ?Lead-	IRF International Rectifier	IRF
IRGIB10B60KD1P_15	文件：453.78 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
GIB10B60KD1	文件：386.19 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C Benefits ?BenchmarkE	IRF International Rectifier	IRF
IRGIB10B60KD1	文件：386.19 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C Benefits ?BenchmarkE	IRF International Rectifier	IRF

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IRGIB10B60KD1P
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
開關(guān)能量：
156μJ（開），165μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
25ns/180ns
測試條件：
400V，10A，50 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB 整包
描述：
IGBT 600V 16A 44W TO220FP

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市卓越微芯電子有限公司	IRGIB10B60KD1P	IR	2020+	TO-220	9600	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRGIB10B60KD1P	IR	2020+	TO-220	22000	全新原裝正品現(xiàn)貨庫存價格優(yōu)勢	詢價
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司	IRGIB10B60KD1P	INFINEON/IR	1907+	NA	950	20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司	IRGIB10B60KD1P	INFINEON/英飛凌	24+	TO-220	60000	進口原裝正品現(xiàn)貨熱賣	詢價
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深圳兆威電子有限公司	IRGIB10B60KD1P	INFINEON/英飛凌	23+		120000	只做原裝全系列供應(yīng)價格優(yōu)勢	詢價
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更多IRGIB10B60KD1P供應(yīng)商更新時間2025-5-25 23:45:00

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