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IRGIB6B60KD116P

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien

IRF

International Rectifier

IRGIB6B60KD116P

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產品屬性

  • 產品編號：

    IRGIB6B60KD116P

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，5A

  • 開關能量：

    110μJ（開），135μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    25ns/215ns

  • 測試條件：

    400V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 11A 38W TO220FP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-220-3
225
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TO220
6200
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TO220
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全新原裝正品現貨,支持訂貨
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更多IRGIB6B60KD116P供應商 更新時間2025-5-25 16:30:00

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