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ISL6613BCBZ

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

Intersil Corporation

ISL6613BCBZ

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

TheISL6612BandISL6613BarehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcom

Intersil

Intersil Corporation

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AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

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AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

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ISL6613BCR

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

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AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

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AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

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ISL6613BCRZ

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

Intersil Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ISL6613AEIB-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類(lèi)型：

    同步

  • 柵極類(lèi)型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.25A，2A

  • 輸入類(lèi)型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    26ns，18ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ISL6613AEIB-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-20 16:37:00

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