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IXFX180N15

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX180N15P

Polar HiPerFET Power MOSFET

Polar?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?H

IXYS

IXYS Corporation

IXTK180N15

HighCurrentMegaMOSTMFET

Features ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Internationalstandardpackage ?Fastswitchingtimes Applications ?Motorcontrols ?DCchoppers ?Switched-modepowersupplies Advantages ?Easytomountwithonescrew (isolatedmountingscrewhole)

IXYS

IXYS Corporation

IXTK180N15

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTK180N15P

PolarHTTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

Features ●Internationalstandardpackage ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXTK180N15P

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFX180N15

  • 功能描述：

    MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
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TO2473
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原裝正品，支持實單
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247 PLUS
65000
原裝正品 華強現(xiàn)貨
 詢價
更多IXFX180N15供應(yīng)商 更新時間2025-5-29 11:09:00

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