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NP110N055PUK

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NP110N055PUK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP110N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75m?MAX.(VGS=10V,ID=55A) ?LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicatio

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP110N055PUK

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP110N055PUK

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP110N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ?LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicati

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTP110N055T

  • 功能描述：

    MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IXYS/艾賽斯
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10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-220
6000
原裝正品，支持實單
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IXYS
2022+
TO-220-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多IXTP110N055T供應商 更新時間2025-5-27 17:09:00

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