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MJD45H11

Complementarypowertransistors

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD45H11

ComplementaryPowerTransistors

Features ●LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves ●FastSwitchingSpeeds ●ComplementaryPairsSimplifiesDesigns ●Pb?FreePackagesareAvailable

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

MJD45H11

ComplementaryPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD45H11

GateDriver

Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

MJD45H11

iscSiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A ?FastSwitchingSpeeds ?ComplementtoTypeMJD44H11 ?DPAKforSurfaceMountApplications ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedfor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD45H11

80V,8APNPhighpowerbipolartransistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?Ele

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

MJD45H11

iscSiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-8A ·FastSwitchingSpeeds ·ComplementtoTypeMJD44H11 ·DPAKforSurfaceMountApplications APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplificationand switchingsuchasoutputordriverstagesinap

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD45H11A

80V,8APNPhighpowerbipolartransistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11A 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?El

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

MJD45H11G

ComplementaryPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD45H11G

ComplementaryPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    KSH45H11TM

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 400mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 4A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    40MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 8A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO252
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低
 詢價(jià)
ON/安森美
2410+
TO-252
12000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價(jià)
FAIRCHILD
2020+
TO252
18600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
FAIRCHILD
25+23+
TO252
12002
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
FAIRCHI
21+
TO252
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
 詢價(jià)
FAIRCHILD
6000
面議
19
DIP/SMD
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-252
42272
原裝正品現(xiàn)貨,可開13個(gè)點(diǎn)稅
 詢價(jià)
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
3687
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
 詢價(jià)
FAIRCHI
24+
TO-252
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
TO252
36520
原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買
 詢價(jià)
更多KSH45H11TM供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-22 16:36:00

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