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零件編號(hào)	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MBR360	文件：376.203 Kbytes Page：2 Pages	3.0A60VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳冠榮電子有限公司	SUNMATE
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MBR360	文件：201.14 Kbytes Page：3 Pages	3ASCHOTTKYRECTIFIER 3ASCHOTTKYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
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MBR360	文件：135.15 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DESCRIPTION TheUTCMBR360isa3.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithlowforwardvoltagedropandhighefficiency,etc. TheUTCMBR360issuitableforfreewheelingdiodes,highfrequencyinverters,lowvoltageandpolarityprotectiondiode	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MBR360	文件：368.93 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
MBR360	文件：135.95 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
MBR360	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage, high?frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBR360D	文件：368.93 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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3ASCHOTTKYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

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Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications

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ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage, high?frequencyinverters,freewhee

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