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MAX20003CATPC	文件：579.72 Kbytes Page：19 Pages	36V,220kHzto2.2MHz,2A/3AFullyIntegratedStep-DownConverterswith15關AOperatingCurrent	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MAX20003CATPC/V+	文件：669.06 Kbytes Page：19 Pages	36V,220kHzto2.2MHz,2A/3AFullyIntegratedStep-DownConverterswith15關AOperatingCurrent	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
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MV20003	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PTB20003	文件：54.46 Kbytes Page：3 Pages	4Watts,915-960MHzCellularRadioRFPowerTransistor Description The20003isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationacrossthe915to960MHzfrequencyband.Ratedat4Wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetal	EricssonEricsson Microelectronics 愛立信愛立信公司	Ericsson
STTH20003	文件：553.21 Kbytes Page：3 Pages	UltrafastRecoveryDiode FEATURES ·Ultrafast,softandnoise-freerecovery ·Combineshighestrecoveryandreverse voltageperformance ·lowinductanceandlowcapacitanceallow simplerlayout APPLICATIONS ·Freewheeling,Snubber,Clamp ·InversionWelder ·PFC ·PlatingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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GaAsVaractorDiodesAbruptJunction

Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie

MicrosemiMicrosemi Corporation

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4Watts,915-960MHzCellularRadioRFPowerTransistor

Description The20003isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationacrossthe915to960MHzfrequencyband.Ratedat4Wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetal

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UltrafastRecoveryDiode

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