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MMBD355

DualHotCarrierMixerDiodes

DualHotCarrierMixerDiodes Features Verylowcapacitance—Lessthan1.0pF@zeroV. Lowforwardvoltage—IF=10mA. PowerdissipationPd=300mW Pb/RoHSFree Applications ?DesignedprimarilyforUHFmixerapplications. ? ? ?

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MMBD355

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE

VeryLowCapacitance LowForwardVoltage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星電子股份有限公司

MMBD355W

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

FEATURES ?LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications ?LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA ?ExtremelyFastSwitchingSpeed ?Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

MP355

PRESS-FITMOTOLOLADIODES

SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

MX355L

CTCSSENCODER/DECODER

CMLMICRO

CML Microcircuits

NDS355

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription SuperSOT?-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularl

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDS355

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDS355AN

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription SuperSOT?-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularl

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDS355AN

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDS355AN-NL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MAX355CWE-T

  • 功能描述：

    多路器開關(guān) IC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量：

    1

  • 開關(guān)數(shù)量：

    4

  • 開啟電阻（最大值）：

    7 Ohms

  • 傳播延遲時間：

    0.25 ns

  • 工作電源電壓：

    2.3 V to 3.6 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    UQFN-16

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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CDIP16
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MAXIM
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CDIP16
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MAXIM/美信
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CDIP16
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更多MAX355CWE-T供應(yīng)商 更新時間2025-5-7 16:00:00

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