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MX6008

44G-portDin-RialLayer3GigabitManagedEthernetswitches

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

N6008NZ

N-channelMOSFET600V,8A,0.75Ω

Description TheN6008NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=0.75ΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2145pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±8.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NCE6008AS

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6008AS

LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

NCE6008AS

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NIUSB-6008

8analoginputsat12or14bits,upto48kS/s

NI

National Instruments Inc.

NTE6008

FastRecoveryRectifier,40A,200ns

Description: TheNTE6006throughNTE6011arefastrecoverysiliconrectifiersinaDO5typepackagedesignedforspecialapplicationssuchasDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterference,sonarpowersupplies,andfreewheelingdiodes.Acompletelin

NTE

NTE Electronics

NX6008NBK

60V,N-channelTrenchMOSFET

description N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ElectroStaticDischarge(ESD)

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

NX6008NBKS

60V,dualN-channelTrenchMOSFET

description DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ElectroSta

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

NX6008NBKW

60V,N-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?Ele

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MAX6008BESA-T

  • 功能描述：

    基準電壓& 基準電流

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 產(chǎn)品：

    Voltage References

  • 拓撲結(jié)構(gòu)：

    Shunt References

  • 參考類型：

    Programmable

  • 輸出電壓：

    1.24 V to 18 V

  • 初始準確度：

    0.25 %

  • 平均溫度系數(shù)（典型值）：

    100 PPM/C 串聯(lián) VREF -

  • 輸入電壓（最大值）：

    串聯(lián) VREF -

  • 分流電流（最大值）：

    60 mA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-23-3L

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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更多MAX6008BESA-T供應(yīng)商 更新時間2025-5-21 13:30:00

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