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    MX6008

    44G-portDin-RialLayer3GigabitManagedEthernetswitches

    etc2List of Unclassifed Manufacturers

    etc未分類制造商etc2未分類制造商

    N6008NZ

    N-channelMOSFET600V,8A,0.75Ω

    Description TheN6008NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=0.75ΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2145pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±8.

    RENESASRenesas Technology Corp

    瑞薩瑞薩科技有限公司

    NCE6008AS

    NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

    NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

    無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

    NCE6008AS

    LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

    LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

    雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

    NCE6008AS

    N-Channel60-V(D-S)MOSFET

    VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

    微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

    NIUSB-6008

    8analoginputsat12or14bits,upto48kS/s

    NI

    National Instruments Inc.

    NTE6008

    FastRecoveryRectifier,40A,200ns

    Description: TheNTE6006throughNTE6011arefastrecoverysiliconrectifiersinaDO5typepackagedesignedforspecialapplicationssuchasDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterference,sonarpowersupplies,andfreewheelingdiodes.Acompletelin

    NTE

    NTE Electronics

    NX6008NBK

    60V,N-channelTrenchMOSFET

    description N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ElectroStaticDischarge(ESD)

    NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

    安世安世半導體(中國)有限公司

    NX6008NBKS

    60V,dualN-channelTrenchMOSFET

    description DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ElectroSta

    NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

    安世安世半導體(中國)有限公司

    NX6008NBKW

    60V,N-channelTrenchMOSFET

    1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?Ele

    NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

    安世安世半導體(中國)有限公司

    詳細參數(shù)

    • 型號：

      MAX6008BEUR-T

    • 功能描述：

      基準電壓& 基準電流

    • RoHS：

      否

    • 制造商：

      STMicroelectronics

    • 產(chǎn)品：

      Voltage References

    • 拓撲結(jié)構(gòu)：

      Shunt References

    • 參考類型：

      Programmable

    • 輸出電壓：

      1.24 V to 18 V

    • 初始準確度：

      0.25 %

    • 平均溫度系數(shù)（典型值）：

      100 PPM/C 串聯(lián) VREF -

    • 輸入電壓（最大值）：

      串聯(lián) VREF -

    • 分流電流（最大值）：

      60 mA

    • 最大工作溫度：

      + 125 C

    • 封裝/箱體：

      SOT-23-3L

    • 封裝：

      Reel

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多MAX6008BEUR-T供應商 更新時間2025-5-21 15:45:00

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