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MUR6030PT

Ultra-FastRecoveryDiodes30A*2FREDPt

Features ●AdoptFREDchip ●LowforwardVoltagedrop ●Fastreverserecoverytime ●Highfrequencyoperation ●Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance ●Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Typical

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MUR6030PT

GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER

FEATURES PlasticMaterialhasULFlammability Classification94V-O LowPowerloss,HighEfficiency LowReverseLeakageCurrent SuperFastSwitching,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability FredChipPlanarConstruction

SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

三陽電子三陽電子有限公司

MUR6030PT

FastRecoveryEpiDiodes

Features Highfrequencyoperation Highsurgeforwardcurrentcapability Highpurity,hightemperatureepoxy enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Solderdip275℃max.7s,perJESD22 encapsulationfor 22-B106

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

MUR6030PT

UltrafastRectifier

FEATURES ·Guardingforovervoltageprotection ·Dualrectifierconstruction,positivecentertap ·Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Uni

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MUR6030PT

60.0AmpereHeatsinkDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers

Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerSupply

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

MUR6030PTR

FastRecoveryEpiDiodes

Features Highfrequencyoperation Highsurgeforwardcurrentcapability Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Solderdip275℃max.7s,perJESD22-B106

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

MUR6030WT

ULTRAFASTPLASTICRECTIFIER

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

燒結(jié)金屬

NCE6030K

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6030Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NDB6030

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDB6030

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MAX6030BEUR-T

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 電壓基準(zhǔn)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 參考類型：

    系列

  • 輸出類型：

    固定

  • 電壓 - 輸出（最小值/固定）：

    3V

  • 容差：

    ±0.4%

  • 溫度系數(shù)：

    30ppm/°C

  • 噪聲 - 0.1Hz 至 10Hz：

    65μVp-p

  • 噪聲 - 10Hz 至 10Hz：

    150μVrms

  • 電壓 - 輸入：

    3.2V ~ 12.6V

  • 電流 - 供電：

    35μA

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    IC VREF SERIES 0.4% SOT23-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MAXIM
23+
NA
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13000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
更多MAX6030BEUR-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-24 9:03:00

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