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MJE701	文件：245.04 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJE701	文件：346.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE700,MJE800seriesdevicesaremediumpowercomplementarysiliconDarlingtontransistorsdesignedforaudioamplifierapplicationsascomplementaryoutputdevices.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
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制造商上傳企業(yè)

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MJE701

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iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE700,MJE800seriesdevicesaremediumpowercomplementarysiliconDarlingtontransistorsdesignedforaudioamplifierapplicationsascomplementaryoutputdevices.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

Central

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POWERTRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)

PLASTICDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. FEATURES *HighDCCurrentGain—hFE=2000(Typ)@IC=2.0A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakageMultiplicat

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

MOSPEC

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

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HighLinearityPackagedHBT

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

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24dBmInGaPHBTAmplifier

AEROFLEX

Aeroflex Circuit Technology

AEROFLEX

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SchottkyBarrierDiode

SchottkyBarrierDiode SourcedfromProcessGE

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

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SurfaceMountSchottkyBarrierDiode

Features *LowTurn-onVoltage ForUHFandVHFdetectorapplication *AlsosuitableforsomeothersFastSwitching RFanddigitalapplication *ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime-15ps(Typ) *LowReverseLeakage-IR=200nA(Max) *VeryLowCapacitance-1.0pF(Max)@V=20VR

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

DAESAN

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SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODE

VOLTAGE70VoltsPOWER180mWatts FEATURES ?Extremelylowminoritycarrierlifetime ?Lowcapacitance(0.4pF@20Vtypical) ?Lowreverseleakage(30nA@35Vtypical) ?Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PANJIT

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SchottkyBarrierDiodes

FEATURES ●Surfacemountpackageideallysuited forautomaticinsertion. APPLICATIONS ●SourcedfromprocessGE.

DSK

Diode Semiconductor Korea

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