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MBR20150FCTR	文件：828.15 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereInsulatedDualCommonAnodeSchottkyBarrierRectifiers Features Lowforwardvoltagedrop ThinkiSemimaturedplanartechnologywithhighreliablity Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Lowreverseleakagecurrent Application AutomotiveInvertersandSolarInverters PlatingPowerSupply,SMPS,EPSandUPS CarAudio	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
MBR20150FCTS	文件：2.40562 Mbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes Features Highfrequencyoperation\| Lowforwardvoltagedrop\| Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor\| enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance\| Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106\|	RFERFE international RFE國際公司RFE國際股份有限公司	RFE
MBR20150FP	文件：163.55 Kbytes Page：4 Pages	20Amp.SchottkyBarrierRectifiers	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MBR20150LCT	文件：342.99 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to200Volts ForwardCurrent-20Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highcurre	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合電子山東星合明輝電子有限公司	GXELECTRONICS
MBR20150LCT	文件：213.6 Kbytes Page：1 Pages	20ASchottkyBarrierRectifier FEATURE ?Highcurrentcapability ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highsurgecapability ?HighESDcapability ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10s/0.25(6.35mm)fromcase TYPICALAPPLICATIONS Foruseinlowvoltage,highfrequencyrectifierof	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING

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20.0AmpereInsulatedDualCommonAnodeSchottkyBarrierRectifiers

Features Lowforwardvoltagedrop ThinkiSemimaturedplanartechnologywithhighreliablity Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Lowreverseleakagecurrent Application AutomotiveInvertersandSolarInverters PlatingPowerSupply,SMPS,EPSandUPS CarAudio

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

THINKISEMI

MBR20150FCTS

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SchottkyDiodes

Features Highfrequencyoperation| Lowforwardvoltagedrop| Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor| enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance| Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106|

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

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全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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ReverseVoltage-20to200Volts ForwardCurrent-20Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highcurre

GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd

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