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MCP14E8T集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MCP14E8T
廠(chǎng)商型號(hào)

MCP14E8T

參數(shù)屬性

MCP14E8T 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類(lèi)別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

2.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

877.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

30 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Microchip Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Microchip微芯科技

中文名稱(chēng)

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 23:00:00

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MCP14E8T規(guī)格書(shū)詳情

MCP14E8T屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的MCP14E8T柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MCP14E8T-E/SN

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類(lèi)型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類(lèi)型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類(lèi)型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    12ns,15ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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