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MCP6006T-ESLASHOTVAO	文件：3.29362 Mbytes Page：46 Pages	1 MHz Operational Amplifier with EMI Filtering	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP6006U	文件：3.29362 Mbytes Page：46 Pages	1MHzOperationalAmplifierwithEMIFiltering	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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N6006NZ	文件：260.45 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET600V,6A,1.2Ω Description TheN6006NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=1.2ΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±6.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTE6006	文件：20.66 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier,40A,200ns Description: TheNTE6006throughNTE6011arefastrecoverysiliconrectifiersinaDO5typepackagedesignedforspecialapplicationssuchasDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterference,sonarpowersupplies,andfreewheelingdiodes.Acompletelin	NTE NTE Electronics	NTE
NW6006	文件：324.01 Kbytes Page：22 Pages	ENHANCEDTYPEIICALLERIDDECODERWITHSTUTTERDIALTONEDETECTOR	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

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功能描述/絲印

制造商上傳企業(yè)

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1 MHz Operational Amplifier with EMI Filtering

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1MHzOperationalAmplifierwithEMIFiltering

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N6006NZ

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Page：8 Pages

N-channelMOSFET600V,6A,1.2Ω

Description TheN6006NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=1.2ΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±6.0

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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NTE6006

文件：20.66 Kbytes

Page：2 Pages

FastRecoveryRectifier,40A,200ns

Description: TheNTE6006throughNTE6011arefastrecoverysiliconrectifiersinaDO5typepackagedesignedforspecialapplicationssuchasDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterference,sonarpowersupplies,andfreewheelingdiodes.Acompletelin

NTE

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NW6006

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ENHANCEDTYPEIICALLERIDDECODERWITHSTUTTERDIALTONEDETECTOR

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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