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MSP4435W	文件：494.01 Kbytes Page：6 Pages	-30V(D-S)P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司	MORESEMI
MT4435	文件：1.00284 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MT4435ACTR	文件：1.00124 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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NCE4435	文件：351.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4435	文件：1.00262 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NCE4435B	文件：714.47 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4435Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4435X	文件：277.4 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4435Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-10A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
PD4435	文件：212.45 Kbytes Page：11 Pages	4-Character5x7DotMatrixAlphanumericProgrammableDisplay??withBuilt-inCMOSControlFunctions DESCRIPTION TheseProgrammableDisplaysarefourdigitdisplaysystemmodules.Thecharactersare0.20by0.14(PD243X),0.27by0.20(PD353X),and0.45by0.27(PD443X)5x7dotmatrixarraysconstructedwiththelatestsolidstatetechnologyinlightemittingdiodes. FEATURES ?FourDotMa	OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體	OSRAM
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-30V(D-S)P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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Description TheNCE4435Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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Description TheNCE4435Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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4-Character5x7DotMatrixAlphanumericProgrammableDisplay??withBuilt-inCMOSControlFunctions

DESCRIPTION TheseProgrammableDisplaysarefourdigitdisplaysystemmodules.Thecharactersare0.20by0.14(PD243X),0.27by0.20(PD353X),and0.45by0.27(PD443X)5x7dotmatrixarraysconstructedwiththelatestsolidstatetechnologyinlightemittingdiodes. FEATURES ?FourDotMa

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

OSRAM

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