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MJD112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD112
廠商型號

MJD112
參數(shù)屬性

MJD112 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述

Silicon NPN Power Transistor
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

296.52 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-23 11:32:00
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晶體管資料

  • 型號：

    MJD112

  • 別名：

    MJD112三極管、MJD112晶體管、MJD112晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    20

MJD112規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Lead formed for surface mount applications

·Built-in a damper diode at E-C

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD112-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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