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MJD112_11

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD112_16

Silicon NPN epitaxial planer Transistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MJD112_17

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD112-001

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD112-1G

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD112G

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD112G

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD112RL

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD112RL

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD112RLG

Complementary Darlington Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MJD112

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MJD112

  • 功能描述:

    達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON
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TO-252
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CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
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SOD-323
11368
原廠原標(biāo)渠道現(xiàn)貨
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TO-252
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更多MJD112供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-23 10:18:00