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MJD32C

isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=25(Min)@IC=-1A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) ?ComplementtoTypeMJD31C ?DPAKforSurfaceMountApplications ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD32C

Complementary Silicon Power Ttransistors

DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplif)ierandswitchingapplications.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

MJD32C

PNP Epitaxial Silicon Transistor

DESCRIPTION ?DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionin16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ?Electrica

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

MJD32C

Marking：MJD32C；Package：DPAK；100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD31C 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?Elect

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

MJD32C

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A ·ComplementtoTypeMJD31C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD32C

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD31BandMJD31CandtheMJD32BandMJD32CformcomplementaryNPN-PNPpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK)POWERPACKAGEINTAPE&REEL(SUFFIX

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD32C

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications ?LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularTIP32andTIP32C

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD32C

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD32C

isc Silicon PNP Power Transistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD32C

100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

晶體管資料

  • 型號：

    MJD32C

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    15

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD32C

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.2V @ 375mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 3A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 3A DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NK/南科功率
2025
TO-252
3200
國產(chǎn)南科
 詢價
ON
24+
TO-252
8700
絕對原裝現(xiàn)貨,價格低,歡迎詢購!
 詢價
CJ
23+
TO252
12500
原廠原裝正品
 詢價
長晶
24+
252-251
499794
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
CJ/長晶
24+
TO-252
45000
只做全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價
ON/ONSemiconductor/安森
24+
TO-263
7434
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價
MOT
99+
SOT252/2.5
4300
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢
 詢價
MOT
05+
原廠原裝
351
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
ST
23+
TO-252
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
MOT
2020+
TO-252
10000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
更多MJD32C供應(yīng)商 更新時間2025-5-23 16:30:00

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