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MJD42C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MJD42C
廠(chǎng)商型號(hào)

MJD42C

參數(shù)屬性

MJD42C 封裝/外殼為T(mén)O-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 6A DPAK

功能描述

Complementary Power Transistors
TRANS PNP 100V 6A DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63

文件大小

89.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-27 23:01:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    MJD42C

  • 別名:

    MJD42C三極管、MJD42C晶體管、MJD42C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    20

MJD42C規(guī)格書(shū)詳情

MJD42C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJD42C晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線(xiàn)電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJD42C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 600mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 6A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)電
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NA/
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