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MMST2907A

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=200mW) ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeMMST2222A. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMST2907A

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

MMST2907A

PNPSmallSignalTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MMST2907A

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2222A)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

MMST2907A

60VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

MMST2907A

PNPMediumPowerTransistor(Switching)

Features 1)BVCEO

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

MMST2907A

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

MMST2907A

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMST2907A

SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Epitaxialplanardieconstruction ?ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2222A)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

MMST2907A

SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2222A)

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

詳細參數

  • 型號：

    MMPQ2907A_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMPQ2907A_Q供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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