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MSAU213

SMDPackagewithIndustryStandardPinout

TOTAL-POWER

Total Power International

MZ213

3WATTGLASSZENERDIODES

FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MZ213

3WATTZENERDIODES

3WATTZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

NCS213

Current-ShuntMonitor,VoltageOutputBi-DirectionalZero-Drift

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCS213MUTAG

Current-ShuntMonitor,VoltageOutputBi-DirectionalZero-Drift

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCS213R

Current-ShuntMonitors,VoltageOutput,BidirectionalZero-Drift,Low-orHigh-SideCurrentSensing

TheNCS210R,NCS211R,NCS213RandNCS214Rarevoltage output,currentshuntmonitors(alsocalledcurrentsenseamplifiers) whichcanmeasurevoltageacrossshuntsatcommon?modevoltages from?0.3Vto26V,independentofsupplyvoltage.Thelowoffsetof thezero?driftarchitectureenables

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCS213R

Current-ShuntMonitors,VoltageOutput,Bidirectional,Zero-Drift,Low-orHigh-SideCurrentSensing

TheNCS210R,NCS211R,NCS213RandNCS214Rarevoltage output,currentshuntmonitors(alsocalledcurrentsenseamplifiers) whichcanmeasurevoltageacrossshuntsatcommon?modevoltages from?0.3Vto26V,independentofsupplyvoltage.Thelowoffsetof thezero?driftarchitectureenables

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCS213RMUTAG

Low-orHigh-SideCurrentSensing

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCS213RMUTAG

Current-ShuntMonitors,VoltageOutput,BidirectionalZero-Drift,Low-orHigh-SideCurrentSensing

TheNCS210R,NCS211R,NCS213RandNCS214Rarevoltage output,currentshuntmonitors(alsocalledcurrentsenseamplifiers) whichcanmeasurevoltageacrossshuntsatcommon?modevoltages from?0.3Vto26V,independentofsupplyvoltage.Thelowoffsetof thezero?driftarchitectureenables

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCS213RMUTAG

Current-ShuntMonitors,VoltageOutput,Bidirectional,Zero-Drift,Low-orHigh-SideCurrentSensing

TheNCS210R,NCS211R,NCS213RandNCS214Rarevoltage output,currentshuntmonitors(alsocalledcurrentsenseamplifiers) whichcanmeasurevoltageacrossshuntsatcommon?modevoltages from?0.3Vto26V,independentofsupplyvoltage.Thelowoffsetof thezero?driftarchitectureenables

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MOC213M_Q

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 SO-8 PHOTO TRANS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

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更多MOC213M_Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-24 13:10:00

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