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NCE55P15I中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE55P15I
廠商型號

NCE55P15I

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

NCE55P15I

封裝外殼

TO-251

文件大小

367.21 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-18 10:12:00

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NCE55P15I規(guī)格書詳情

Description

The NCE55P15I uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS =-55V,ID =-15A

RDS(ON) <75m? @ VGS=-10V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● DC-DC Converter

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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