首頁(yè)>NESG2021M05-A>規(guī)格書詳情

NESG2021M05-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NESG2021M05-A
廠商型號(hào)

NESG2021M05-A

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

文件大小

159.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-5-21 10:05:00

人工找貨

NESG2021M05-A價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

NESG2021M05-A規(guī)格書詳情

FEATURES

? This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.

? NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

? NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2021M05-A

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS
24+
SOT343-4
2600
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
NEC
SOT-343
22+
6000
十年配單,只做原裝
詢價(jià)
NEC
24+
M05
1634
詢價(jià)
NEC
02+
SOT23
3000
原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢
詢價(jià)
nec
1923+
sot-343
35689
絕對(duì)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨庫(kù)存特價(jià)銷售
詢價(jià)
NEC
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
詢價(jià)
NEC
23+
SOT23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
NEC
23+
SOT343
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
20000
全新原廠原裝,進(jìn)口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅!!
詢價(jià)
NEC
22+
SOT-343
30000
只做原裝正品
詢價(jià)