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NESG7030M04-A

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz ?PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG7030M04-A

Package：SOT-343F；包裝：托盤 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

CEL

California Eastern Labs

NESG7030M04

NPNSiliconGermaniumCarbonRFTransistor

FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz ?PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    NESG7030M04-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    4.3V

  • 頻率 - 躍遷：

    5.8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz

  • 增益：

    14dB ~ 21dB

  • 功率 - 最大值：

    125mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 5mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應商器件封裝：

    M04

  • 描述：

    RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CEL
2022+
M04
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
CEL
25+
SOT-343F
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
 詢價
RENESAS丨全系列供應
23+
RENESAS丨全系列供應
2985
原廠授權代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS
23+
SOT-343
45000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS/瑞薩
SOT-343
22+
56000
全新原裝進口,假一罰十
 詢價
NICHIA
SMD-2
35560
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價
NICHIA
23+
3014(0.52)
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NICHIA
10+
3014(0.52)
2500
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NHIA
24+
NA/
5750
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
NICHIA
2023+
3014(0.52)
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價
更多NESG7030M04-A供應商 更新時間2025-5-6 15:00:00

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