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NP55N04SLG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Channeltemperature175degreerating ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ?RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多NP55N04SLG-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-23 16:26:00

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