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NTH4L040N120M3S_V02中文資料安森美半導體數據手冊PDF規(guī)格書

NTH4L040N120M3S_V02
廠商型號

NTH4L040N120M3S_V02
功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L
文件大小

357.6 Kbytes
頁面數量

8 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-8 20:24:00
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NTH4L040N120M3S_V02規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Solar Inverters

? Electric Vehicle Charging Stations

? UPS (Uninterruptible Power Supplies)

? Energy Storage Systems

? SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
2130+
TO-247
9000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ON(安森美)
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21+
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