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NTHL060N090SC1	文件：764.08 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 60 mohm, 900V, M2, TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=87nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=113pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecond	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTHL060N090SC1	文件：773.79 Kbytes Page：7 Pages	Marking：NTHL060N090SC1；Package：TO-247；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTBG060N090SC1	文件：802.73 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L900V,60m,44A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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深圳市宇爍芯半導(dǎo)體科技有限公司	NTHL060N090SC1	ON	23+	TO-247-3LD	100000	全新原裝	詢價(jià)
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