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NTHL080N120SC1_V01	文件：365.42 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications ?U	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1_V01	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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