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PBSS3515E

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS3515E

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinanultrasmallSOT416(SC-75)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentg

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS3515E

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT416(SC-75)SMDplasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC ■Highefficien

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS3515F

15VlowVCEsatPNPtransistor

DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515F. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapabilities ?Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandmuting ?Lowf

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS3515M

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION LowVCEsatPNPtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515M. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration ?Reducedprinted

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS3515M

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration ?Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS ?Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS3515MB

15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor

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PBSS3515VS

15VlowVCEsatPNPdoubletransistor

DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage ?Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS3515VS

15VlowVCE(sat)PNPdoubletransistor

DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage ?Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?

nxpNXP Semiconductors

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PBSS3515VS

15VlowVCEsatPNPdoubletransistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS 2.Featuresandbenefits ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage ?Selfalignmentdu

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    OMAP3515ECUS

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 微處理器

  • 系列：

    OMAP-35xx

  • 包裝：

    托盤

  • 核心處理器：

    ARM? Cortex?-A8

  • 內(nèi)核數(shù)/總線寬度：

    1 核，32 位

  • 速度：

    600MHz

  • 協(xié)處理器/DSP：

    多媒體；NEON? SIMD

  • RAM 控制器：

    LPDDR

  • 圖形加速：

    是

  • 顯示與接口控制器：

    LCD

  • USB：

    USB 1.x（3），USB 2.0（1）

  • 電壓 - I/O：

    1.8V，3.0V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 90°C（TJ）

  • 封裝/外殼：

    423-LFBGA，F(xiàn)CBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    423-FCBGA（16x16）

  • 描述：

    IC MPU OMAP-35XX 600MHZ 423FCBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多OMAP3515ECUS供應(yīng)商 更新時間2025-5-24 14:14:00

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