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PBHV8540T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBHV8540T
廠商型號(hào)

PBHV8540T

參數(shù)屬性

PBHV8540T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 0.5A TO236AB

功能描述

500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

115.68 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 未知制造商
企業(yè)簡(jiǎn)稱

恩XP

中文名稱

未知制造商

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBHV8540T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 60mA,300mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 300mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 0.5A TO236AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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