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PCFF30H120SWF	文件：102.14 Kbytes Page：4 Pages	Diode – Power, Bare Die Gen VII, Fast Recovery 1200 V, 30 A Features ?AdvancedGenVIITechnology ?FastandSoftRecovery ?MaximumJunctionTemperature175°C ?LowForwardVoltage:VF=1.78V(Typ.)IF=30A ?EasytoParallelOperation TypicalApplications ?Solar ?EnergyStorage ?IndustrialMotorControl	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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PCFF30H120SWF_V01	文件：104.17 Kbytes Page：4 Pages	Diode – Power, Bare Die Gen VII, Fast Recovery 1200 V, 30 A Features ?AdvancedGenVIITechnology ?FastandSoftRecovery ?MaximumJunctionTemperature175°C ?LowForwardVoltage:VF=1.78V(Typ.)IF=30A ?EasytoParallelOperation TypicalApplications ?Solar ?EnergyStorage ?IndustrialMotorControl	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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TRS30H120H	文件：449.64 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=162nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.8μA(ty	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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Diode – Power, Bare Die Gen VII, Fast Recovery 1200 V, 30 A

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TRS30H120H

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SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=162nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.8μA(ty

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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