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CEB80N15	文件：426.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB80N15	文件：405.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF80N15	文件：405.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP80N15	文件：426.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP80N15	文件：1.86036 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CEP80N15	文件：405.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEW80N15	文件：573.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,80A,RDS(ON)=19mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FTK80N15P	文件：929.81 Kbytes Page：5 Pages	150VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM80N15	文件：427.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI

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CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

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華瑞華瑞股份有限公司

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

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CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

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Page：5 Pages

150VN-ChannelMOSFETs

FS

First Silicon Co., Ltd

FS

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N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMI

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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