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PDTB113ET

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113EU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113EU

500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113EU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113Z

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=10k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTB113Z_SER

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac

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PDTB113ZK

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB113ZK

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=10k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTB113ZQA

50V,500mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113ZQA

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    PDTA113EMB

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    TRANS PNP W/RES 50V SOT883B

  • 功能描述：

    TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B

  • 功能描述：

    TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Transistor

  • Polarity：

    PNP; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo：

    -50V; Transition Frequency Typ

  • ft：

    180MHz; Power Dissipation

  • Pd：

    250mW; DC Collector

  • Current：

    -100mA; DC Current Gain

  • hFE：

    30; Operating ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PDTA113EMB供應(yīng)商 更新時間2025-5-21 9:03:00

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