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PDTA123EMB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
PDTA123EMB |
參數(shù)屬性 | PDTA123EMB 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT883B / 3-XFDFN |
文件大小 |
836.02 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-8 18:06:00 |
人工找貨 | PDTA123EMB價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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General description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PDTC123EMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PDTA123EMB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 20mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
150mV @ 500μA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1μA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
20094 |
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詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SMD |
50000 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
1407000 |
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NXP/恩智浦 |
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NA |
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SOT-23 |
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Nexperia |
25+23+ |
SOT23 |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT883B |
300000 |
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NXP(恩智浦) |
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詢價(jià) |