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PHPT60406PY-Q

Marking：0406PAB；Package：SOT669；40 V, 6 A PNP high power bipolar transistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. NPNcomplement:PHPT60406NY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Suitableforhightemperatureapplicationsupto175°C ?

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PHPT60406NY

40V,6ANPNhighpowerbipolartransistor

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PHPT60406NY-Q

40V,6ANPNhighpowerbipolartransistor

1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT60406PY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Hightemperatureapplicationsupto175°C ?ReducedPrin

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PHPT60406PY

40V,6APNPhighpowerbipolartransistor

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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更多PHPT60406PY-Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-7 10:06:00

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