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PHX14NQ20T	文件：68.9 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticfullpackenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX14NQ20Tissupplie	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX14NQ20T	文件：287.49 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DCtoDCconverters ·Generalpurposeswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB14NQ20T	文件：269.78 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOSstandardlevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?technology. Productavailability: PHP14NQ20TinSOT78(TO-220AB) PHB14NQ20TinSOT404(D2-PAK) PHD14NQ20TinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PHD14NQ20T	文件：298.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
PHX14NQ20T
功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多PHX14NQ20T供應(yīng)商更新時間2025-5-8 15:30:00

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