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SBS822	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ?Lowforwardvoltage(IF=0.5A,VFmax=0.39V)(IF=1A,VFmax=0.46V). ?Compositetypewith2lowVFSBDsinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. ?Ultrasmall-sizepackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.85mm). ?Halogenfreecompliance. App	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SBS822	文件：253.8 Kbytes Page：3 Pages	20V,1ARectifier 20V,1ARectifier Features ?Lowforwardvoltage(IF=0.5A,VFmax=0.39V)(IF=1A,VFmax=0.46V). ?Compositetypewith2lowVFSBDsinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. ?Ultrasmall-sizepackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.85mm). ?Halogenfr	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
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SBS822-TL-W	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ?Lowforwardvoltage(IF=0.5A,VFmax=0.39V)(IF=1A,VFmax=0.46V). ?Compositetypewith2lowVFSBDsinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. ?Ultrasmall-sizepackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.85mm). ?Halogenfreecompliance. App	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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SIS822DNT	文件：209.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
SIS822DNT	文件：192.23 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested ?Thin0.8mmprofile ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?NotebookPC -Systempower -Loadswitch ?Synchronousbuckhighside	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
STK822	文件：462.79 Kbytes Page：15 Pages	N-channel25V-0.00175廓-38A-PolarPAK?STripFET??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“singlefeaturesize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,moreoverthedoublesidescoolingpackagewithultralowjunctiontocasethermalres	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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SchottkyBarrierDiode

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20V,1ARectifier

20V,1ARectifier Features ?Lowforwardvoltage(IF=0.5A,VFmax=0.39V)(IF=1A,VFmax=0.46V). ?Compositetypewith2lowVFSBDsinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. ?Ultrasmall-sizepackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.85mm). ?Halogenfr

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三洋三洋電機(jī)株式會社

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SchottkyBarrierDiode

Features ?Lowforwardvoltage(IF=0.5A,VFmax=0.39V)(IF=1A,VFmax=0.46V). ?Compositetypewith2lowVFSBDsinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. ?Ultrasmall-sizepackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.85mm). ?Halogenfreecompliance. App

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SchottkyBarrierDiode

Features ?Lowforwardvoltage(IF=0.5A,VFmax=0.39V)(IF=1A,VFmax=0.46V). ?Compositetypewith2lowVFSBDsinonepackage,facilitatinghigh-densitymounting. ?Ultrasmall-sizepackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.85mm). ?Halogenfreecompliance. App

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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TFUNK

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N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested ?Thin0.8mmprofile ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?NotebookPC -Systempower -Loadswitch ?Synchronousbuckhighside

VishayVishay Siliconix

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N-channel25V-0.00175廓-38A-PolarPAK?STripFET??PowerMOSFET

Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“singlefeaturesize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,moreoverthedoublesidescoolingpackagewithultralowjunctiontocasethermalres

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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