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SBE002-TL-W

SchottkyBarrierDiode

Features ?Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V) ?Fastreverserecoverytime(trrmax=10ns) ?Lowswitchingnoise ?Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure ?Ultrasmallpackage,permittingSBE002-appliedsetstobecompactandslim(mountingheight0.9mm

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多PJ-002B-SMT供應商 更新時間2025-5-25 10:02:00

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