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RFFM8506SQ

4.9GHzto5.85GHz802.11a/n/acWiFiFrontEndModule

RFMD

RF Micro Devices

RFFM8506SQ

4.9GHzto5.85GHz802.11a/n/acWiFiFrontEndModule

QORVO

Qorvo, Inc

RFFM8506SR

4.9GHzto5.85GHz802.11a/n/acWiFiFrontEndModule

QORVO

Qorvo, Inc

RFFM8506SR

4.9GHzto5.85GHz802.11a/n/acWiFiFrontEndModule

RFMD

RF Micro Devices

SEP8506

GaAsInfraredEmittingDiode

DESCRIPTION TheSEP8506isagalliumarsenideinfraredemittingdiodemoldedinaside-emittingredplasticpackage.Thechipispositionedtoemitradiationthroughaplasticlensfromthesideofthepackage. FEATURES ?Side-emittingplasticpackage ?50?(nominal)beamangle ?935nmwavel

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

SEP8506

InfraredSensorsLineGuide

HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers

霍尼韋爾霍尼韋爾國際有限公司

SG-8506CA

I2C-BusProgrammableCrystalOscillator(SPXO)Output:LV-PECL

EPSONEpson Company

愛普生精工愛普生株式會社

SG-8506CA

IC-BusProgrammableCrystalOscillator

EPSONTOYOCOMEpson ToYoCom

愛普生愛普生拓優(yōu)科夢

SI8506-B-IM

Si85XXUNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

SI8506-B-IM

UNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS

SILABS

Silicon Laboratories

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PL8506

  • 制造商：

    iNRCORE, LLC

  • 類別：

    電感器，線圈，扼流圈 > 固定電感器

  • 系列：

    SLED

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    環(huán)形

  • 容差：

    ±10%

  • 屏蔽：

    無屏蔽

  • DC 電阻 (DCR)：

    425 毫歐最大

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 130°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    非標準

  • 大小 / 尺寸：

    0.625" 長 x 0.525" 寬（15.88mm x 13.34mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.320"（8.12mm）

  • 描述：

    FIXED IND 152UH 1A 425 MOHM SMD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PL8506供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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