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PZT3904	文件：48.66 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor ?HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytype:PZT3906(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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PZT3904	文件：555.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛電子深圳市平盛電子有限公司	PFS
PZT3904	文件：188.19 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1W?Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ?Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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PZT3904	文件：1.15035 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3906 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
PZT3904	文件：700.7 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3906	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
PZT3904	文件：160.3 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN

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NPNSiliconSwitchingTransistor

?HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytype:PZT3906(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

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NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

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PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.

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GeneralPurposeTransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:1W?Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ?Tstg:-55℃to+150℃

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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DGNJDZNanjing International Group Co

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SiliconNPNbipolarTransistor

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■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3906

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

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TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	PMBS3904-Q	NK/南科功率	2025+	SOT23	986966	國產(chǎn)	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	PMBS3904-QR	Nexperia USA Inc.	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
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